BSH201 |
RFQ for BSH201 |
![]() |
| Technical/Catalog Information | BSH201,215 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | P-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 300mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Power - Max | 417mW |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Package / Case | SST3 (SOT-23-3) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drawing Number | 568; SOT23; ; 3 |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BSH201,215 BSH201,215 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BSH201 | - | - | - |
P-channel, enhancement mode, logic level, field-effect power transistor. This device has low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal forbattery powered applications and high speed digital interfacing.
The BSH201 is supplied in the SOT23 subminiature surface mo unting package.
Features |
| • Low threshold voltage • Fast switching• Logic level compatible • Subminiature surface mount package |
|
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN. |
MAX. |
UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
VDS |
Drain-source voltage |
-60 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
VDGR |
Drain-gate voltage |
RGS = 20 k |
-60 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
VGS |
Gate-source voltage |
± 8 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ID |
Drain current (DC) |
Ta = 25 °C |
-0.3 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Ta = 100 °C |
-019 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
IDM |
Drain current (pulse peak value) |
Ta = 25 °C |
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
|